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电子元器件详细资料 » IC[18249] » DDTA115GE-7-F
型号:DDTA115GE-7-F类别:晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式制造商:Diodes Inc
封装:SOT-523描述:TRANS PREB PNP 150MW R1/2 SOT523

详细参数

类别晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
描述TRANS PREB PNP 150MW R1/2 SOT523
系列-
制造商Diodes Inc
晶体管类型PNP - 预偏压
电流_集电极(Ic)111最大222100mA
电压_集电极发射极击穿111最大22250V
电阻器_基极(R1)111欧222-
电阻器_发射极(R2)111欧222100k
在某IceeeVce时的最小直流电流增益(hFE)82 @ 5mA,5V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度111最大222300mV @ 500µA,10mA
电流_集电极截止111最大222-
频率_转换250MHz
功率_最大150mW
安装类型表面贴装
封装/外壳SOT-523
供应商设备封装SOT-523
包装带卷 (TR)

供应商

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